加工定制 | 是 | 种类 | 元素半导体 |
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品牌 | 嘉安恒 | 产地 | 北京市 |
厚度 | 350, 625um |
产品简介
砷化镓(gallium arsenide),化学式GaAs,属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,由砷和镓两种元素化合而成,外观呈亮灰色,具金属光泽、性脆而硬,是当代国际公认的继"硅(Silicon)"之后最成熟的化合物半导体材料,具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性,是光电子和微电子工业最重要的支撑材料之一。
在光电子工业领域应用层面,砷化镓单晶可被用于制作LD(激光器)、LED(发光二极管)、光电集成电路(OEIC)、光伏器件等;
在微电子工业领域应用层面,可被用于制作MESFET(金属半导体场效应管)、HEMT(高电子迁移率晶体管)、HBT(异质结双极晶体管)、IC、微波二极管、Hall器件等。
主要涉及高端军事电子应用、光纤通信系统、宽带卫星无线通信系统、测试仪器、汽车电子、激光、照明等领域。作为重要的半导体材料,GaAs的电子迁移率为硅和氮化镓的5倍,用于中小功率微波器件具有更低的功率损耗,因此在手机通讯、局域无线网、GPS和汽车雷达等领域中占主导地位。
晶体材料 | Single Crystal Gallium Arsenide, VGF / LECgrown, 高纯单晶 | ||
晶向 | (1 0 0) / (1 1 1) | ||
掺杂 | Undoped | Zn | Si / Te |
直径 | 50~150mm ± 0.25mm(2"、 3"、 4"、6") | ||
厚度 | 350 ± 25um / 550 ± 25um / 625 ± 25um | ||
晶向 | ( 100 )or(111) α 0 ±β 0, off angle α and accuracy β upon request | ||
电阻率 | (1-30)x10 7 Ω.cm | (1-10)x10 -3 Ω.cm | |
迁移率 | 1500~3000 3000~5000 cm2 / V·sec | N / A | |
掺杂浓度 | N / A | (0.1-3.0)×10 18/cm3 | |
腐蚀缺陷密度 | ≤ 5·103 cm-2 | ≤ 7·10 4cm-2 | ≤ 5·102 cm-2 |
主定位边 | (0-1-1)±0.5deg, 16 ±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm | ||
次定位边 | (0-1 1) )±5.0 deg, 8 ±1.0mm / 11±1.0mm/ 18±1.0mm | ||
正面 | Polished in Epi-ready Prime grade, 外延生长级抛光 | ||
反面 | Polished / Lapping or Etched, 抛光 / 研磨或腐蚀 | ||
Epi-ready | Yes |